Semi-conducteurs. Page 186 sur 485. Avtronic

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IRLB8748PBF à IRLR8721 (Page 186 sur 485)

Transistor MOSFET canal-N IRLB8748PBF

5.26€ TTC

1240 En stock

Transistor MOSFET canal-N 30V 150A/620Ap. 140W. Résistance passante RDSon : 2.5 mOhms (100A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRLBA1304P

19.54€ TTC

68 En stock

Transistor MOSFET canal N 40V 185A/740Ap. 300W 0.004R (130A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRLBA1304PPBF. Type de boîtier: SUPER-220. Boîtier: SUPER220. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 185A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 130A. Id(imp): 740 Ap. Idss (min): 25 uA. Idss (max):

Tarifs dégressifs

Transistor IRLBA3803P

13.50€ TTC

95 En stock

Transistor MOSFET canal N 30V 179A/720Ap. 270W 0.005R (126A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRLBA3803PPBF. Type de boîtier: SUPER-220. Boîtier: SUPER220. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 179A. Puissance: 270 W. Id(T:100): 126A. Id(imp): 720 Ap. Idss (min): 25 uA. Idss (max):

Tarifs dégressifs

Transistor IRLD014

3.42€ TTC

94 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 1.7A. Commande par niveau logique (Logic Level). Référence d'origine constructeur: IRLD014PBF. Boîtier: HVMDIP. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 1.7A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.2 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLD024

3.53€ TTC

14 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 2.5A. Commande par niveau logique (Logic Level). Référence d'origine constructeur: IRLD024PBF. Boîtier: HVMDIP. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.1 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLIB4343

5.71€ TTC

2 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 19A. Référence d'origine constructeur: IRLIB4343PbF. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 19A. Puissance: 39W. Résistance Rds: 42 milliOhms. Applications: Digital Audio HEXFET/Class-D Audio.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLIB9343

4.70€ TTC

86 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 55V 14A. Référence d'origine constructeur: IRLIB9343PbF. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 14A. Puissance: 33W. Résistance Rds: 93 milliOhms. Applications: Digital Audio HEXFET/Class-D Audio.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLL2703

2.41€ TTC

38 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 5.5A. Puissance: 2.1W. Boîtier: SOT223.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLML2502

0.95€ TTC

1348 En stock

Transistor MOSFET canal N 20V 4.2A/33Ap 1.25W 0.035R (3.4A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRLML2803

1.34€ TTC

45 En stock

Transistor IRLML2803 N-MOS 30V 1.2A 1.25W 0.098R(0.93A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: SOT-23. TO-236AB (Micro3). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.2 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLML5203

1.23€ TTC

263 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 3A. Puissance: 1.25W. Résistance passante (Rds): 0.098 Ohms. Boîtier: SOT-23.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLML6402

1.12€ TTC

309 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 3.7A. Puissance: 1.3W. Résistance passante (Rds): 0.050 Ohms. Boîtier: SOT-23.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR024N

2.18€ TTC

172 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 55V 17A/72Ap 45W 0.065R (12A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRLR024NPBF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO252AA (D-pak). Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 5V. Id(T:25): 17A. Puissance: 45 W. Id(T:100): 12A. Id(imp): 72 Ap. I

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR120N

3.19€ TTC

67 En stock

Transistor IRLR120N N-MOS 100V 10A 48W 0.040R(20A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR2705

2.91€ TTC

16 En stock

Transistor IRLR2705 N-MOS 55V 28A 68W 0.040R(20A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR2905

3.70€ TTC

711 En stock

Transistor IRLR2905 N-MOS 55V 42A 110W 0.027R(30A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Idm:160A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A.

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR2905Z

3.25€ TTC

449 En stock

Transistor IRLR2905Z N-MOS 55V 42A 110W 0.0135R. HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Rds (Ohms): 0.0135. Puissance: 110 W

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR3410

3.25€ TTC

28 En stock

Transistor IRLR3410 N-MOS 100V 17A 79W 0.105R(12A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRLR3705ZPBF

4.20€ TTC

52 En stock

Transistor MOSFET canal-N 55V 89A/360Ap 130W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (63A)

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR7843

4.20€ TTC

1609 En stock

Transistor MOSFET canal N 30V 161A/620Ap 140W 0.0026R (113A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRLR7843PBF. Marquage boîtier: LR7843. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO-252AA (D-pak). Transistor FET: MOS. 2-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 161A. Puissance: 140 W. I

Tarifs dégressifs

Transistor IRLR8721

3.53€ TTC

24 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 30V 65A. Référence d'origine constructeur: IRLR8721PBF. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 65A. Puissance: 65W. Résistance Rds: 6.3 milliOhms. HEXFET Power MOSFET.

Tarifs dégressifs

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Transistor MOSFET canal-N IRLB8748PBF

Transistor MOSFET canal-N 30V 150A/620Ap. 140W. Résistance passante RDSon : 2.5 mOhms (100A)

Transistor IRLBA1304P

Transistor IRLBA3803P

Transistor IRLD014

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 1.7A. Commande par niveau logique (Logic Level). Référence d'origine constructeur: IRLD014PBF. Boîtier: HVMDIP. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 1.7A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.2 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

Transistor IRLD024

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 2.5A. Commande par niveau logique (Logic Level). Référence d'origine constructeur: IRLD024PBF. Boîtier: HVMDIP. DIP-4. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 2.5A. Puissance: 1.3W. Résistance Rds: 0.1 Ohms. HEXFET Power MOSFET.

Transistor IRLIB4343

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 55V 19A. Référence d'origine constructeur: IRLIB4343PbF. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 19A. Puissance: 39W. Résistance Rds: 42 milliOhms. Applications: Digital Audio HEXFET/Class-D Audio.

Transistor IRLIB9343

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 55V 14A. Référence d'origine constructeur: IRLIB9343PbF. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 55V. Id(@25ºC): 14A. Puissance: 33W. Résistance Rds: 93 milliOhms. Applications: Digital Audio HEXFET/Class-D Audio.

Transistor IRLL2703

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 5.5A. Puissance: 2.1W. Boîtier: SOT223.

Transistor IRLML2502

Transistor MOSFET canal N 20V 4.2A/33Ap 1.25W 0.035R (3.4A)

Transistor IRLML2803

Transistor IRLML2803 N-MOS 30V 1.2A 1.25W 0.098R(0.93A). HEXFET Power MOSFET. Ultra Low On-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: SOT-23. TO-236AB (Micro3). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1.2 A.

Transistor IRLML5203

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 3A. Puissance: 1.25W. Résistance passante (Rds): 0.098 Ohms. Boîtier: SOT-23.

Transistor IRLML6402

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 3.7A. Puissance: 1.3W. Résistance passante (Rds): 0.050 Ohms. Boîtier: SOT-23.

Transistor IRLR024N

Transistor IRLR120N

Transistor IRLR120N N-MOS 100V 10A 48W 0.040R(20A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Transistor IRLR2705

Transistor IRLR2705 N-MOS 55V 28A 68W 0.040R(20A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 28 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 20 A.

Transistor IRLR2905

Transistor IRLR2905 N-MOS 55V 42A 110W 0.027R(30A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Idm:160A. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 30 A.

Transistor IRLR2905Z

Transistor IRLR2905Z N-MOS 55V 42A 110W 0.0135R. HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 55 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 42 A. Rds (Ohms): 0.0135. Puissance: 110 W

Transistor IRLR3410

Transistor IRLR3410 N-MOS 100V 17A 79W 0.105R(12A). HEXFET Power MOSFET. Logic-Level Gate Drive. Constructeur: IR. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12 A.

Transistor MOSFET canal-N IRLR3705ZPBF

Transistor MOSFET canal-N 55V 89A/360Ap 130W. Résistance passante RDSon : 0.0065 Ohms (63A)

Transistor IRLR7843

Transistor IRLR8721

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 30V 65A. Référence d'origine constructeur: IRLR8721PBF. Boîtier: TO-252AA (D-pak). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 65A. Puissance: 65W. Résistance Rds: 6.3 milliOhms. HEXFET Power MOSFET.

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